主营储存器24LC02B-I/SN 24LC02BT-I/SN 24LC02B-I/P,大量库存 低价热卖
发布时间:2014-1-9 10:43:00
型号:24LC02B-I/SN 品牌:MICROCHIP 制造商:Microchip 制造商:Microchip 产品种类:电可擦除可编程只读存储器 存储容量:1Kbit 组织:256x8 DataRetention:[详情]
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发布时间:2014-1-9 10:43:00
型号:24LC02B-I/SN 品牌:MICROCHIP 制造商:Microchip 制造商:Microchip 产品种类:电可擦除可编程只读存储器 存储容量:1Kbit 组织:256x8 DataRetention:[详情]
发布时间:2014-1-8 10:31:00
型号:24LC256-I/SM 类型:可编程器 制造商:Microchip 产品种类:电可擦除可编程只读存储器 存储容量:256Kbit 组织:32Kx8 DataRetention:200yr 最大时钟频率:0.[详情]
发布时间:2014-1-8 9:56:00
型号:24LC512-I/SN 类型:可编程器 品牌:Microchip 描述:电可擦除可编程只读存储器64kx8-2.5V 制造商:Microchip 产品种类:电可擦除可编程只读存储器 存储容量:512Kbit 组[详情]
发布时间:2014-1-4 10:59:00
型号:FQPF5N60C 类型:场效应管 品牌:仙童 描述:MOSFETN-CH600V4.5ATO-220F RoHS:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 标准包装:50 类别:分离式半导体产品 家[详情]
发布时间:2013-12-23 16:36:00
型号:SPB20N60C3 品牌:INFINEON/英飞凌 类型:MOS管 描述:MOSFETN-CH650V20.7AD2PAK RoHS:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 产品培训模块:CoolMOS[详情]
发布时间:2013-12-20 9:52:00
型号:STP4NK60Z 品牌:ST/意法 类型:场效应管 描述:MOSFETN-CH600V4ATO-220FP RoHS:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-[详情]
发布时间:2013-12-19 9:49:00
型号:FGH40N60SFDTU 品牌:仙童 描述:IGBTFIELDSTOP600V80ATO-247 RoHS:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 标准包装:150 类别:分离式半导体产品 家庭:I[详情]
发布时间:2013-12-18 10:29:00
型号:FQPF13N50C 品牌:仙童原装 类型:场效应管 描述:MOSFETN-CH500V13ATO-220F RoHS:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-[详情]
发布时间:2013-12-17 17:13:00
型号:FQD10N20CTM 品牌:仙童 类型:MOS管 描述:MOSFETN-CH200V7.8ADPAK RoHS:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 产品培训模块:HighVoltageSwitc[详情]
发布时间:2013-12-17 10:12:00
型号:FQA9N90C 品牌:仙童 类型:场效应管 描述:MOSFETN-CH900V9ATO-3P RoHS:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单 系列:Q[详情]
发布时间:2013-12-16 17:23:00
型号:FQA38N30 品牌:FAIRCHILD/仙童 描述:MOSFETN-CH300V38.4ATO-3P RoHS:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 产品培训模块:HighVoltageSwitc[详情]
发布时间:2013-12-16 17:07:00
型号:FQA10N80C 品牌:FAIRCHILD/仙童 描述:MOSFETN-CH800V10ATO-3P RoHS:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 标准包装:30 类别:分离式半导体产品 家庭:F[详情]
发布时间:2013-12-13 10:52:00
型号:IRFPE50PBF 品牌:Vishay 类型:场效应管 描述:MOSFETN-Chan800V7.8Amp 制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:8[详情]
发布时间:2013-12-13 10:43:00
型号:IRFP460PBF 品牌:IR 类型:场效应管 描述MOSFETN-Chan500V20Amp 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:500V 闸/源击穿电压:+/-[详情]
发布时间:2013-12-12 10:29:00
型号:IR2130S 品牌:IR 类型:集成电路 描述:ICDRIVERBRIDGE3-PHASE28-SOIC 标准包装:25 类别:集成电路(IC) 家庭:PMIC-MOSFET,电桥驱动器-外部开[详情]
发布时间:2013-12-12 9:39:00
型号:IR2110STRPBF 品牌:IR 类型:集成电路 描述:ICDRIVERHIGH/LOWSIDE16SOIC 类别:集成电路(IC) 家庭:PMIC-MOSFET,电桥驱动器-外部开关 配置:高端和[详情]
发布时间:2013-12-10 10:39:00
型号:IR1150IS 品牌:IR 类型:集成电路 描述:ICPFCCONTROLLERCCM8-SOIC RoHS:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 类别:集成电路(IC) 家庭:PMIC-P[详情]
发布时间:2013-12-10 10:27:00
型号:IRG4PH50UDPBF 品牌:IR 类型:IGBT 描述IGBTW/DIODE1200V45ATO247AC 标准包装:25 类别:分离式半导体产品 家庭:IGBT-单路 电压-集电极发射极击穿(最[详情]
发布时间:2013-12-6 10:38:00
型号:IRGIB6B60KDPBF 品牌:IR 类型:IGBT 描述IGBTULTRAFAST600V11ATO220FP 标准包装:50 类别:分离式半导体产品 家庭:IGBT-单路 IGBT类型:NPT [详情]
发布时间:2013-12-6 10:28:00
型号:IRG7PH35UD1PBF 品牌:IR 类型:IGBT 标准包装:25 类别:分离式半导体产品 家庭:IGBT- 单路系列:- IGBT类型:沟道 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,Ic时的最[详情]