正品供应分离式半导体IRF2807PBF,大量现货热卖IRF2807PBF
发布时间:2013-11-16 12:33:00
型号:IRF2807PBF 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单 系列:HEXFET® FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点:标准型 漏极至源极电压(Vdss):75V 电流[详情]
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发布时间:2013-11-16 12:33:00
型号:IRF2807PBF 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单 系列:HEXFET® FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点:标准型 漏极至源极电压(Vdss):75V 电流[详情]
发布时间:2013-11-16 12:16:00
型号:IRF2807 种类:绝缘栅(MOSFET) 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 品牌:IR/国际整流器 用途:MIN/微型 沟道类型:N沟道 品牌 IR 封装 TO-220 [详情]
发布时间:2013-11-16 12:07:00
型号:MUR1560G 品牌:0N/安森美 类别:分离式半导体产品 家庭:单二极管/整流器 系列:SWITCHMODE™ 二极管类型:标准 电压-(Vr)(最大):600V 电流-平均整流(Io):15A[详情]
发布时间:2013-11-16 11:56:00
型号:HFA15TB60 品牌:IR/国际整流器 类别:分离式半导体产品 家庭:单二极管/整流器 系列:HEXFRED® 二极管类型:标准 电压-(Vr)(最大):600V 电流-平均整流(Io):15[详情]
发布时间:2013-11-16 11:39:00
型号:MUR860G 类型:快速恢复二极管 类别:分离式半导体产品 家庭:单二极管/整流器 二极管类型:标准 电压(Vr)(最大):600V 电流-平均整流(Io):8A 电压-在If时为正向(Vf)(最大)[详情]
发布时间:2013-11-16 11:09:00
型号:IRF3710PBF 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单 FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点:标准型 漏极至源极电压(Vdss):100V 电流-连续漏极(Id)@25°[详情]
发布时间:2013-11-16 10:53:00
型号:IRF3710S 类型:MOS/场效应管 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单 系列:HEXFET® FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点:标准型 漏极至源极电压(Vdss):[详情]
发布时间:2013-11-14 22:57:00
品牌:IXYS/艾赛斯 型号:VUO50-12NO3 类型:二极管 批号:09+ 封装:塑料封装 营销方式:现货 产品性质:热销 处理信号:数模混合信号 制作工艺:膜集成 导电类型:双极型 集成程度:大规模 工作温度[详情]
发布时间:2013-11-14 13:27:00
型号:IRF830S 品牌:IR/国际整流器 描述:MOSFETN-CH500V4.5AD2PAK 数据列表:IRF830S 标准包装:1,000 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单 FET型:MOSFET[详情]
发布时间:2013-11-14 13:26:00
型号:IRF830S 品牌:IR/国际整流器 描述:MOSFETN-CH500V4.5AD2PAK 数据列表:IRF830S 标准包装:1,000 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单 FET型:MOSFET[详情]
发布时间:2013-11-14 12:44:00
型号:IRF7403TRPBF 参数:MOSFETN-CH30V8.5A8-SOI 品牌:IR/国际整流器 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单 FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点:逻辑[详情]
发布时间:2013-11-14 10:46:00
型号:IRF740S 品牌:Vishay 描述:MOSFETN-Chan400V10Amp 制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:400V 闸/源[详情]
发布时间:2013-11-14 9:46:00
描述MOSFETN-CH500V14ATO-247AC 型号:IRFP450 品牌:IR/国际整流器 描述:MOSFETN-CH500V14ATO-247AC 类别:分离式半导体产品 家庭FET-:单 系列[详情]
发布时间:2013-11-13 23:26:00
型号:SST65P542R-8-C-SG 品牌:MICROCHIP 描述闪存USE804-39VF16817CEK 制造商Microchip 产品种类闪存 数据总线宽度8bit 存储类型NOR 存储容[详情]
发布时间:2013-11-13 13:37:00
型号:IRF840PBF 品牌:IR 类别:分离式半导体产品 FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点:标准型 漏极至源极电压(Vdss):500V 电流-连续漏极(Id)@25°C:8A 开[详情]
发布时间:2013-11-13 13:23:00
型号:IRF740PBF 品牌:IR/国际整流器 类别:分离式半导体产品 FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点:标准型 漏极至源极电压(Vdss):400V 电流-连续漏极(Id)@25°C:[详情]
发布时间:2013-11-13 10:28:00
型号:IRF3710S 品牌:IT/国际整流器 标准包装:50 类别:分离式半导体产品 FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点:标准型 漏极至源极电压(Vdss):100V 电流-连续漏极(Id)@[详情]
发布时间:2013-11-13 9:55:00
型号:IRF1404S 类别分离式半导体产品 家庭:单 FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):40V 电流-连续漏极(Id)@25°C:162A [详情]
发布时间:2013-11-13 9:37:00
型号:IRF1010ES 类型:分离式导体-MOS管 通道模式:增强 通道类型:N 配置:单 典型关断延迟时间:48ns 典型接通延迟时间:12ns 典型栅极电荷@Vgs:130nCV@10 典型输入电容值@Vd[详情]
发布时间:2013-11-11 22:53:00
品牌:IXYS/艾赛斯 型号:MUBW50-12E8 类型:IGBT模块 批号:09+ 封装:塑料封装 营销方式:现货 产品性质:热销 处理信号:数模混合信号 制作工艺:膜集成 导电类型:双极型 集成程度:大规模 工[详情]