现货客户热卖IRG4IBC30KDPBF,IBG单管,大量现货热卖
发布时间:2014-6-18 9:43:00
型号:IRG4IBC30KDPBF品牌:IR类别:分离式半导体产品家庭:IGBT-单路系列:-IGBT类型:-电压-集电极发射极击穿(最大):600VVge,Ic时的最大Vce(开):2V@15V,9A电流[详情]
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发布时间:2014-6-18 9:43:00
型号:IRG4IBC30KDPBF品牌:IR类别:分离式半导体产品家庭:IGBT-单路系列:-IGBT类型:-电压-集电极发射极击穿(最大):600VVge,Ic时的最大Vce(开):2V@15V,9A电流[详情]
发布时间:2014-6-18 9:41:00
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装,公司常备大量的现货库存,特价供应IRG4IBC20FDPBF正品原装,品质保证,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。,型号:IRG4IBC20FDPBF 品牌:IR 类别:分离式半导体产品 家[详情]
发布时间:2014-6-17 23:21:00
型号:PIC24FJ128GA010-I/PF制造商:Microchip产品种类:16-bitMicrocontrollers(MCU)核心:PIC处理器系列:PIC24F数据总线宽度:16bit最大时钟频率:32MHz[详情]
发布时间:2014-6-17 23:19:00
型号:PIC24EP128GP206-I/PT制造商:Microchip核心:PIC处理器系列:PIC24数据总线宽度:16bit最大时钟频率:60MHz程序存储器大小:128KB数据RAM大小:16KB片上A[详情]
发布时间:2014-6-16 10:27:00
型号:IRFR18N15DTRR品牌:IR标准包装:3,000类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:HEXFET®FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:标准型漏极至源极电压(Vd[详情]
发布时间:2014-6-16 10:19:00
型号:IRFR014TRPBF品牌:IR类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:-FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:标准型漏极至源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)@2[详情]
发布时间:2014-6-13 10:27:00
型号:IRFB4110PBF品牌:IR/国际整流器类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:HEXFET®FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)[详情]
发布时间:2014-6-13 10:25:00
型号:IRFB260NPBF品牌:IR/国际整流器描述:SMPSMOSFET类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:HEXFET®FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:标准型[详情]
发布时间:2014-6-12 10:30:00
型号:IRF9520PBF品牌:IR国际整流器类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:-FET型:MOSFETP通道,金属氧化物FET特点:标准型漏极至源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极[详情]
发布时间:2014-6-12 10:25:00
型号:IRF9510PBF品牌:IR国际整流器类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:-FET型:MOSFETP通道,金属氧化物FET特点:标准型漏极至源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极([详情]
发布时间:2014-6-11 10:25:00
型号:IRF7811AVTR品牌:IR类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:HEXFET®FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):30V电流-[详情]
发布时间:2014-6-11 10:22:00
型号:IRF7807TRPBF品牌:IR类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:HEXFET®FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:标准型漏极至源极电压(Vdss):30V电流[详情]
发布时间:2014-6-10 10:08:00
型号:IRF7493TRPBF品牌:IR类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:HEXFET®FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):80V电流[详情]
发布时间:2014-6-10 10:06:00
型号:IRF7473TRPBF品牌:IR类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:HEXFET®FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):12V电流[详情]
发布时间:2014-6-3 10:17:00
型号:IRF3415STRLPBF品牌:IR标准包装:800类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:HEXFET®FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:标准型漏极至源极电压(Vdss)[详情]
发布时间:2014-6-3 10:13:00
型号:IRF3205PBF准包装:50类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:HEXFET®FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:标准型漏极至源极电压(Vdss):55V电流-[详情]
发布时间:2014-5-29 9:47:00
型号:IRLL3303PBF品牌:IR类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:HEXFET®FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):30V[详情]
发布时间:2014-5-29 9:44:00
型号:IRLL024NTRPBF品牌:IR类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:HEXFET®FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):55V电流[详情]
发布时间:2014-5-28 9:57:00
型号:IRFP460PBF品牌:IR类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:-FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:标准型漏极至源极电压(Vdss):500V电流-连续漏极(Id)@[详情]
发布时间:2014-5-28 9:55:00
型号:IRFP450PBF品牌:IR类别:分离式半导体产品家庭:FET-单系列:-FET型:MOSFETN通道,金属氧化物FET特点:标准型漏极至源极电压(Vdss):500V电流-连续漏极(Id)@2[详情]